主要职责：
1、负责把控碳化硅晶体生长工艺，优化工艺参数，保证长晶设备的正常操作运行；
2、负责测试及分析样品的基本物理特性，通过调节工艺参数、优化晶体物理性质；
3、负责长晶过程控制和失效分析，完成设备故障处理及标准化操作流程；
4、负责并完成公司的研发项目，参与客户及商业合作伙伴的合作与沟通；
5、负责开发新工艺、新技术，并进行长晶团队的搭建和人才培养。
任职要求：
1、具备电子、物理、材料或半导体等相关专业硕士及以上学历；
2、拥有资深的第三代半导体碳化硅SIC晶体生长经验，对碳化硅SIC晶体的生长工艺、外延、器件物理、材料特性表征及DOE (Design of Experiment)方面具有较深厚的知识储备；
3、有半导体制造行业及洁净室经验，具备新材料及新产品的开发、转化生产等能力；
4、工作责任心强，具领导潜质，具有良好的组织领导能力，对外能胜任与客户及商业合作伙伴的沟通与协调；
5、有真空、CVD (Chemical Vapor Deposition)镀膜工艺基本知识，具备氮化镓外延工艺及设备的调试实习者优先。